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Número de parte | IPD50N06S4L08ATMA2 |
LIXINC Part # | IPD50N06S4L08ATMA2 |
Fabricante | IR (Infineon Technologies) |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31 |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | IPD50N06S4L08ATMA2 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Sep 28 - Oct 02 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | IPD50N06S4L08ATMA2 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
paquete: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 60 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 50A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 4.5V, 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 7.8mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 2.2V @ 35µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 64 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±16V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 4780 pF @ 25 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 71W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | PG-TO252-3-11 |
paquete / caja: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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En stock | 10884 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.14000 | $1.14 |
2500 | $0.42805 | $1070.125 |
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