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ECH8419-TL-H

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Número de parte	ECH8419-TL-H
LIXINC Part #	ECH8419-TL-H
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 35V 9A 8ECH
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	ECH8419-TL-H Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 29 - Oct 03 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

ECH8419-TL-H Especificaciones

Número de parte:	ECH8419-TL-H
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	35 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	9A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	17mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.6V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	19 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	960 pF @ 20 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-ECH
paquete / caja:	8-SMD, Flat Lead