BSZ021N04LS6ATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ021N04LS6ATMA1 | BSZ021N04LS6ATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ021N04LS6ATMA1

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Número de parte	BSZ021N04LS6ATMA1
LIXINC Part #	BSZ021N04LS6ATMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 40V 25A/40A TSDSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSZ021N04LS6ATMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 29 - Oct 03 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSZ021N04LS6ATMA1 Especificaciones

Número de parte:	BSZ021N04LS6ATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™ 6
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	25A (Ta), 40A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	31 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2700 pF @ 20 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.5W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TSDSON-8-FL
paquete / caja:	8-PowerTDFN

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