RJU002N06T106 | ROHM Semiconductor RJU002N06T106 | RJU002N06T106 Inventory, Best Pricing

RJU002N06T106

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Número de parte	RJU002N06T106
LIXINC Part #	RJU002N06T106
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RJU002N06T106 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RJU002N06T106 Especificaciones

Número de parte:	RJU002N06T106
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	200mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2.3Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	18 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	200mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	UMT3
paquete / caja:	SC-70, SOT-323