XPH4R10ANB,L1XHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation XPH4R10ANB,L1XHQ

XPH4R10ANB,L1XHQ

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Número de parte	XPH4R10ANB,L1XHQ
LIXINC Part #	XPH4R10ANB,L1XHQ
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 70A 8SOP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	XPH4R10ANB,L1XHQ Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

XPH4R10ANB,L1XHQ Especificaciones

Número de parte:	XPH4R10ANB,L1XHQ
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVIII-H
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	70A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	6V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.1mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	75 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4970 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOP Advance (5x5)
paquete / caja:	8-SOIC (0.197", 5.00mm Width)