IPA60R210CFD7XKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPA60R210CFD7XKSA1 | IPA60R210CFD7XKSA1 Inventory, Best Pricing

IPA60R210CFD7XKSA1

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Número de parte	IPA60R210CFD7XKSA1
LIXINC Part #	IPA60R210CFD7XKSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	LOW POWER_NEW
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPA60R210CFD7XKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPA60R210CFD7XKSA1 Especificaciones

Número de parte:	IPA60R210CFD7XKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	-
tecnología:	-
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	-
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	7A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	-
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	-
paquete / caja:	-

NTD4815N-35G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6	30064 Más sobre el pedido
STI18N65M5	MOSFET N CH 650V 15A I2PAK	881 Más sobre el pedido
FDS5351	MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC	23391 Más sobre el pedido
IXTT16P60P	MOSFET P-CH 600V 16A TO268	1923713 Más sobre el pedido
IRF8301MTRPBF	MOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET	6564 Más sobre el pedido
AUIRFR024NTRL	MOSFET N-CH 55V 17A TO252AA	6873 Más sobre el pedido
STP11N65M5	MOSFET N-CH 650V 9A TO220	1894 Más sobre el pedido
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MTD2N40ET4	N-CHANNEL POWER MOSFET	138461 Más sobre el pedido
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BS270	MOSFET N-CH 60V 400MA TO92-3	2818 Más sobre el pedido