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IRFD123PBF

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Número de parte	IRFD123PBF
LIXINC Part #	IRFD123PBF
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRFD123PBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRFD123PBF Especificaciones

Número de parte:	IRFD123PBF
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Vishay / Siliconix
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	1.3A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	270mOhm @ 780mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	360 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
paquete / caja:	4-DIP (0.300", 7.62mm)