TK40S06N1L,LXHQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK40S06N1L,LXHQ

TK40S06N1L,LXHQ

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Número de parte	TK40S06N1L,LXHQ
LIXINC Part #	TK40S06N1L,LXHQ
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 40A DPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TK40S06N1L,LXHQ Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TK40S06N1L,LXHQ Especificaciones

Número de parte:	TK40S06N1L,LXHQ
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVIII-H
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	40A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 200µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	26 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1650 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	88.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	175°C
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	DPAK+
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

BUK9508-55B,127	MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB	993 Más sobre el pedido
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IRLZ44ZSPBF	MOSFET N-CH 55V 51A TO263-3-2	1729 Más sobre el pedido
TPC8062-H,LQ(CM	MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP	992 Más sobre el pedido
SI3445DV	P-CHANNEL MOSFET	114797 Más sobre el pedido
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AON7428	MOSFET N-CH 30V 34A/50A 8DFN	951 Más sobre el pedido