FQPF18N20V2YDTU | Rochester Electronics FQPF18N20V2YDTU | FQPF18N20V2YDTU Inventory, Best Pricing

FQPF18N20V2YDTU

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	FQPF18N20V2YDTU
LIXINC Part #	FQPF18N20V2YDTU
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 200V 18A TO220F-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FQPF18N20V2YDTU Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FQPF18N20V2YDTU Especificaciones

Número de parte:	FQPF18N20V2YDTU
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	QFET®
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	18A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	140mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	26 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1.08 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220F-3 (Y-Forming)
paquete / caja:	TO-220-3 Full Pack, Formed Leads