SISH101DN-T1-GE3

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Número de parte SISH101DN-T1-GE3
LIXINC Part # SISH101DN-T1-GE3
Fabricante Vishay / Siliconix
Categoría semiconductor discretotransistores - fets, mosfets - simples
Descripción MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD SISH101DN-T1-GE3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Jul 03 - Jul 07 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SISH101DN-T1-GE3 Especificaciones

Número de parte:SISH101DN-T1-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:Vishay / Siliconix
serie:TrenchFET®
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:P-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:16.9A (Ta), 35A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:7.2mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:102 nC @ 10 V
vgs (máx.):±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:3595 pF @ 15 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:PowerPAK® 1212-8SH
paquete / caja:PowerPAK® 1212-8SH

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