SSM3J168F,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM3J168F,LF

SSM3J168F,LF

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	SSM3J168F,LF
LIXINC Part #	SSM3J168F,LF
Fabricante	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SSM3J168F,LF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 08 - Jul 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SSM3J168F,LF Especificaciones

Número de parte:	SSM3J168F,LF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVI
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	400mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	2V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	3 nC @ 10 V
vgs (máx.):	+20V, -16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	82 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	S-Mini
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3