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TPS1101D

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Número de parte	TPS1101D
LIXINC Part #	TPS1101D
Fabricante	Texas Instruments
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	TPS1101D Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

TPS1101D Especificaciones

Número de parte:	TPS1101D
Marca:	Texas Instruments
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Texas Instruments
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	15 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.3A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.7V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	90mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	1.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	11.25 nC @ 10 V
vgs (máx.):	+2V, -15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	-
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	791mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SOIC
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)