BSO200P03SHXUMA1 | IR (Infineon Technologies) BSO200P03SHXUMA1 | BSO200P03SHXUMA1 Inventory, Best Pricing

BSO200P03SHXUMA1

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	BSO200P03SHXUMA1
LIXINC Part #	BSO200P03SHXUMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BSO200P03SHXUMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BSO200P03SHXUMA1 Especificaciones

Número de parte:	BSO200P03SHXUMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	7.4A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	20mOhm @ 9.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	1.5V @ 100µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	54 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2330 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.56W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-DSO-8
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)