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Número de parte | TJ10S04M3L(T6L1,NQ |
LIXINC Part # | TJ10S04M3L(T6L1,NQ |
Fabricante | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET P-CH 40V 10A DPAK |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | TJ10S04M3L(T6L1,NQ Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | TJ10S04M3L(T6L1,NQ |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | U-MOSVI |
paquete: | Tape & Reel (TR) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | P-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 40 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 10A (Ta) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 6V, 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 44mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 3V @ 1mA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 19 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | +10V, -20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 930 pF @ 10 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 27W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | DPAK+ |
paquete / caja: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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En stock | 10841 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.53900 | $0.539 |
2000 | $0.52769 | $1055.38 |
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