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FDP2D3N10C

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Número de parte	FDP2D3N10C
LIXINC Part #	FDP2D3N10C
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDP2D3N10C Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDP2D3N10C Especificaciones

Número de parte:	FDP2D3N10C
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	PowerTrench®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	222A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2.3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 700µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	152 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	11.18 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-220-3
paquete / caja:	TO-220-3