RUR040N02HZGTL | ROHM Semiconductor RUR040N02HZGTL | RUR040N02HZGTL Inventory, Best Pricing

RUR040N02HZGTL

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Número de parte	RUR040N02HZGTL
LIXINC Part #	RUR040N02HZGTL
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RUR040N02HZGTL Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 25 - Sep 29 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RUR040N02HZGTL Especificaciones

Número de parte:	RUR040N02HZGTL
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	1.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	35mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.3V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	8 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	680 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TSMT3
paquete / caja:	SC-96