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Número de parte | IPB180N06S4H1ATMA2 |
LIXINC Part # | IPB180N06S4H1ATMA2 |
Fabricante | IR (Infineon Technologies) |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | IPB180N06S4H1ATMA2 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | IPB180N06S4H1ATMA2 |
Marca: | IR (Infineon Technologies) |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | IR (Infineon Technologies) |
serie: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
paquete: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 60 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 180A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 4V @ 200µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 270 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 21900 pF @ 25 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 250W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | PG-TO263-7-3 |
paquete / caja: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
BUK9Y19-100E,115 | MOSFET N-CH 100V 56A LFPAK56 | 857 Más sobre el pedido |
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En stock | 11086 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.77000 | $3.77 |
1000 | $2.28357 | $2283.57 |
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