NTTFS008P03P8Z | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTTFS008P03P8Z

NTTFS008P03P8Z

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Número de parte	NTTFS008P03P8Z
LIXINC Part #	NTTFS008P03P8Z
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 30V 22A/96A 8PQFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NTTFS008P03P8Z Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 26 - Sep 30 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NTTFS008P03P8Z Especificaciones

Número de parte:	NTTFS008P03P8Z
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	22A (Ta), 96A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.8mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	134 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±25V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	5600 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.36W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-PQFN (3.3x3.3)
paquete / caja:	8-PowerWDFN