SIHB12N60ET1-GE3 | Vishay / Siliconix SIHB12N60ET1-GE3 | SIHB12N60ET1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIHB12N60ET1-GE3

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Número de parte	SIHB12N60ET1-GE3
LIXINC Part #	SIHB12N60ET1-GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SIHB12N60ET1-GE3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 27 - Oct 01 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SIHB12N60ET1-GE3 Especificaciones

Número de parte:	SIHB12N60ET1-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Vishay / Siliconix
serie:	E
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	12A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	58 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	937 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	147W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-263 (D²Pak)
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB