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FDZ299P

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Número de parte	FDZ299P
LIXINC Part #	FDZ299P
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FDZ299P Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 28 - Oct 02 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FDZ299P Especificaciones

Número de parte:	FDZ299P
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	PowerTrench®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4.6A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	55mOhm @ 4.6A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	9 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	742 pF @ 10 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1.7W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	9-BGA (2x2.1)
paquete / caja:	9-WFBGA

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