XP262N7002TR-G | Torex Semiconductor Ltd. XP262N7002TR-G | XP262N7002TR-G Inventory, Best Pricing

XP262N7002TR-G

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	XP262N7002TR-G
LIXINC Part #	XP262N7002TR-G
Fabricante	Torex Semiconductor Ltd.
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	XP262N7002TR-G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

XP262N7002TR-G Especificaciones

Número de parte:	XP262N7002TR-G
Marca:	Torex Semiconductor Ltd.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Torex Semiconductor Ltd.
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	300mA (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.6Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.1V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	720 pC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	30 pF @ 20 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	SOT-23
paquete / caja:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3