NVTFWS015N04CTAG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVTFWS015N04CTAG

NVTFWS015N04CTAG

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Número de parte	NVTFWS015N04CTAG
LIXINC Part #	NVTFWS015N04CTAG
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 40V 9.4A/27A 8WDFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NVTFWS015N04CTAG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NVTFWS015N04CTAG Especificaciones

Número de parte:	NVTFWS015N04CTAG
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tape & Reel (TR)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	9.4A (Ta), 27A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	17.3mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 20µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	6.3 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	325 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.9W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-WDFN (3.3x3.3)
paquete / caja:	8-PowerWDFN

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