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RD3P08BBDTL

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Número de parte	RD3P08BBDTL
LIXINC Part #	RD3P08BBDTL
Fabricante	ROHM Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 80A TO252
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RD3P08BBDTL Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 20 - Oct 24 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RD3P08BBDTL Especificaciones

Número de parte:	RD3P08BBDTL
Marca:	ROHM Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	ROHM Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	80A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	6V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	11.6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	37 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1940 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	119W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-252
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63