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FQI2N80TU

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Número de parte	FQI2N80TU
LIXINC Part #	FQI2N80TU
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 800V 2.4A I2PAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FQI2N80TU Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FQI2N80TU Especificaciones

Número de parte:	FQI2N80TU
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	QFET®
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	800 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.4A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	6.3Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	15 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	550 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3.13W (Ta), 85W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	I2PAK
paquete / caja:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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