Solo por referencia
Número de parte | PSMN7R8-120ESQ |
LIXINC Part # | PSMN7R8-120ESQ |
Fabricante | Rochester Electronics |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7 |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | PSMN7R8-120ESQ Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | PSMN7R8-120ESQ |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Rochester Electronics |
serie: | - |
paquete: | Bulk |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 120 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 70A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 7.9mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 4V @ 1mA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 167 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 9.473 pF @ 60 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 349W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
paquete de dispositivos del proveedor: | I2PAK |
paquete / caja: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
STW7N95K3 | MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3 | 1459 Más sobre el pedido |
|
STP28N60DM2 | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 | 1939 Más sobre el pedido |
|
FQPF3P20 | MOSFET P-CH 200V 2.2A TO220F | 4888 Más sobre el pedido |
|
SI5424DC-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 | 10045 Más sobre el pedido |
|
IPB240N03S4LR8ATMA1928 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5852 Más sobre el pedido |
|
RQ6L020SPTCR | MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6 | 2110 Más sobre el pedido |
|
SI7464DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8 | 3304 Más sobre el pedido |
|
IXFX21N100Q | MOSFET N-CH 1000V 21A PLUS247-3 | 999 Más sobre el pedido |
|
IXFK80N50Q3 | MOSFET N-CH 500V 80A TO264AA | 1494 Más sobre el pedido |
|
SI7633DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 | 5715 Más sobre el pedido |
|
FQA6N70 | MOSFET N-CH 700V 6.4A TO3P | 5752 Más sobre el pedido |
|
DMN30H4D0LFDE-7 | MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN | 19999 Más sobre el pedido |
|
STI24NM60N | MOSFET N CH 600V 17A I2PAK | 1990 Más sobre el pedido |
En stock | 11418 - Más sobre el pedido |
---|---|
Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
Consejos cálidos: por favor complete el formulario a continuación. Nos pondremos en contacto con usted tan pronto como sea posible.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.79000 | $0.79 |
5000 | $0.79000 | $3950 |
Lixinc le ofrecerá los precios más competitivos, consulte las cotizaciones.
Por favor, siéntase libre de contactarnos para más detalles.