STS10P3LLH6 | STMicroelectronics STS10P3LLH6 | STS10P3LLH6 Inventory, Best Pricing

STS10P3LLH6

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	STS10P3LLH6
LIXINC Part #	STS10P3LLH6
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	STS10P3LLH6 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 22 - Oct 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

STS10P3LLH6 Especificaciones

Número de parte:	STS10P3LLH6
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	STripFET™ H6
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	10A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	12mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	1V @ 250µA (Min)
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	33 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3350 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.7W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SO
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)