SIHD1K4N60E-GE3 | Vishay / Siliconix SIHD1K4N60E-GE3 | SIHD1K4N60E-GE3 Inventory, Best Pricing

SIHD1K4N60E-GE3

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Número de parte	SIHD1K4N60E-GE3
LIXINC Part #	SIHD1K4N60E-GE3
Fabricante	Vishay / Siliconix
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SIHD1K4N60E-GE3 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 23 - Oct 27 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SIHD1K4N60E-GE3 Especificaciones

Número de parte:	SIHD1K4N60E-GE3
Marca:	Vishay / Siliconix
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Vishay / Siliconix
serie:	E
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4.2A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.45Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	7.5 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	172 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-252AA
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFR5410TRPBF	MOSFET P-CH 100V 13A DPAK	903 Más sobre el pedido
SQP120P06-6M7L_GE3	MOSFET P-CH 60V TO220AB	1395 Más sobre el pedido
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NDS9430	MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC	115290 Más sobre el pedido
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AON7430	MOSFET N-CH 30V 13A/34A 8DFN	947 Más sobre el pedido
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