STB6N80K5 | STMicroelectronics STB6N80K5 | STB6N80K5 Inventory, Best Pricing

STB6N80K5

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	STB6N80K5
LIXINC Part #	STB6N80K5
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	STB6N80K5 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

STB6N80K5 Especificaciones

Número de parte:	STB6N80K5
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	SuperMESH5™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	800 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4.5A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.6Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 100µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	7.5 nC @ 10 V
vgs (máx.):	30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	255 pF @ 100 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	85W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	D2PAK
paquete / caja:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB