NTMFS4C08NT1G-001 | Rochester Electronics NTMFS4C08NT1G-001 | NTMFS4C08NT1G-001 Inventory, Best Pricing

NTMFS4C08NT1G-001

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Número de parte	NTMFS4C08NT1G-001
LIXINC Part #	NTMFS4C08NT1G-001
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NTMFS4C08NT1G-001 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 28 - Oct 02 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NTMFS4C08NT1G-001 Especificaciones

Número de parte:	NTMFS4C08NT1G-001
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Not For New Designs
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	9A (Ta), 52A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	5.8mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.1V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	18.2 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	1.67 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	760mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquete / caja:	8-PowerTDFN

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