AONR66922 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. AONR66922

AONR66922

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	AONR66922
LIXINC Part #	AONR66922
Fabricante	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	AONR66922 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 28 - Oct 02 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

AONR66922 Especificaciones

Número de parte:	AONR66922
Marca:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
serie:	AlphaSGT™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	100 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	15A (Ta), 50A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	9mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	2180 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	4.1W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-DFN-EP (3.3x3.3)
paquete / caja:	8-PowerWDFN