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NTD5802NT4G

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Número de parte	NTD5802NT4G
LIXINC Part #	NTD5802NT4G
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NTD5802NT4G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 28 - Oct 02 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NTD5802NT4G Especificaciones

Número de parte:	NTD5802NT4G
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	16.4A (Ta), 101A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	4.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	100 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	5.025 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	DPAK
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63