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BUK6D120-60PX

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Número de parte	BUK6D120-60PX
LIXINC Part #	BUK6D120-60PX
Fabricante	Nexperia
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET P-CH 60V 3A/8A 6DFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	BUK6D120-60PX Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 29 - Oct 03 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

BUK6D120-60PX Especificaciones

Número de parte:	BUK6D120-60PX
Marca:	Nexperia
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Nexperia
serie:	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	60 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	3A (Ta), 8A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	120mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.2V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	18 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	724 pF @ 30 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.3W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	DFN2020MD-6
paquete / caja:	6-UDFN Exposed Pad