IMBF170R450M1XTMA1 | IR (Infineon Technologies) IMBF170R450M1XTMA1 | IMBF170R450M1XTMA1 Inventory, Best Pricing

IMBF170R450M1XTMA1

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Número de parte	IMBF170R450M1XTMA1
LIXINC Part #	IMBF170R450M1XTMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IMBF170R450M1XTMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 05 - Jul 09 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IMBF170R450M1XTMA1 Especificaciones

Número de parte:	IMBF170R450M1XTMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolSiC™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1700 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	9.8A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	12V, 15V
rds en (máx.) @ id, vgs:	450mOhm @ 2A, 15V
vgs(th) (máx) @ id:	5.7V @ 2.5mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	11 nC @ 12 V
vgs (máx.):	+20V, -10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	610 pF @ 1000 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	107W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO263-7
paquete / caja:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA