IPD60R600E6BTMA1 | Rochester Electronics IPD60R600E6BTMA1 | IPD60R600E6BTMA1 Inventory, Best Pricing

IPD60R600E6BTMA1

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Número de parte	IPD60R600E6BTMA1
LIXINC Part #	IPD60R600E6BTMA1
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	N-CHANNEL POWER MOSFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPD60R600E6BTMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPD60R600E6BTMA1 Especificaciones

Número de parte:	IPD60R600E6BTMA1
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	*
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	-
tecnología:	-
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	-
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	-
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	-
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	-
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	-
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	-
paquete de dispositivos del proveedor:	-
paquete / caja:	-