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SCT10N120AG

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Número de parte	SCT10N120AG
LIXINC Part #	SCT10N120AG
Fabricante	STMicroelectronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	SCT10N120AG Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

SCT10N120AG Especificaciones

Número de parte:	SCT10N120AG
Marca:	STMicroelectronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	STMicroelectronics
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	12A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	20V
rds en (máx.) @ id, vgs:	690mOhm @ 6A, 20V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	22 nC @ 20 V
vgs (máx.):	+25V, -10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	290 pF @ 400 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	HiP247™
paquete / caja:	TO-247-3