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IRF6201PBF

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Número de parte	IRF6201PBF
LIXINC Part #	IRF6201PBF
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	HEXFET POWER MOSFET
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRF6201PBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRF6201PBF Especificaciones

Número de parte:	IRF6201PBF
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	HEXFET®
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	20 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	27A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2.45mOhm @ 27A, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.1V @ 100µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	195 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±12V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	8.555 pF @ 16 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-SO
paquete / caja:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)