IPW60R125CPFKSA1

IPW60R125CPFKSA1
Agrandar

Solo por referencia

Número de parte IPW60R125CPFKSA1
LIXINC Part # IPW60R125CPFKSA1
Fabricante IR (Infineon Technologies)
Categoría semiconductor discretotransistores - fets, mosfets - simples
Descripción MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD IPW60R125CPFKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPW60R125CPFKSA1 Especificaciones

Número de parte:IPW60R125CPFKSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:IR (Infineon Technologies)
serie:CoolMOS™
paquete:Tube
estado de la pieza:Not For New Designs
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:25A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:125mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:3.5V @ 1.1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:70 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:2500 pF @ 100 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:PG-TO247-3
paquete / caja:TO-247-3

Los productos que le pueden interesar

NDD60N360U1-35G NDD60N360U1-35G MOSFET N-CH 600V 11A IPAK 33594

Más sobre el pedido

TN5335N8-G TN5335N8-G MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA 858

Más sobre el pedido

NP80N03MLE-S18-AY NP80N03MLE-S18-AY MOSFET N-CH 30V 80A TO220 1201

Más sobre el pedido

AUIRFSL8403 AUIRFSL8403 MOSFET N-CH 40V 123A TO262 2978

Más sobre el pedido

FQP2N80 FQP2N80 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 3964

Más sobre el pedido

NVMFS5C404NWFAFT1G NVMFS5C404NWFAFT1G MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN 935

Más sobre el pedido

BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 37634

Más sobre el pedido

IXTQ48N20T IXTQ48N20T MOSFET N-CH 200V 48A TO3P 855

Más sobre el pedido

DMN1019UVT-13 DMN1019UVT-13 MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26 818

Más sobre el pedido

IRF5305STRRPBF IRF5305STRRPBF MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK 946

Más sobre el pedido

IXFA16N50P IXFA16N50P MOSFET N-CH 500V 16A TO263 1241

Más sobre el pedido

STF33N60M6 STF33N60M6 MOSFET N-CH 600V 25A TO220FP 1551

Más sobre el pedido

DN2535N3-G-P003 DN2535N3-G-P003 MOSFET N-CH 350V 120MA TO92 943

Más sobre el pedido

Consulta rápida

En stock 10894 - Más sobre el pedido
Límite de cotización Sin límite
Tiempo de espera Para ser confirmado
Mínimo 1

Consejos cálidos: por favor complete el formulario a continuación. Nos pondremos en contacto con usted tan pronto como sea posible.

Precios (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$4.92579$4.92579
240$4.92579$1182.1896

Lixinc le ofrecerá los precios más competitivos, consulte las cotizaciones.

Contáctenos

LLÁMANOS
SKYPE
LIXINC
Mensaje
Enviar mensaje

Por favor, siéntase libre de contactarnos para más detalles.

Nuestros Certificados

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top