CSD13383F4T | Texas Instruments CSD13383F4T | CSD13383F4T Inventory, Best Pricing

CSD13383F4T

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	CSD13383F4T
LIXINC Part #	CSD13383F4T
Fabricante	Texas Instruments
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	CSD13383F4T Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

CSD13383F4T Especificaciones

Número de parte:	CSD13383F4T
Marca:	Texas Instruments
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Texas Instruments
serie:	FemtoFET™
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	12 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	2.9A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	2.5V, 4.5V
rds en (máx.) @ id, vgs:	44mOhm @ 500mA, 4.5V
vgs(th) (máx) @ id:	1.25V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	2.6 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	291 pF @ 6 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	3-PICOSTAR
paquete / caja:	3-XFDFN