NDDP010N25AZT4H | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NDDP010N25AZT4H

NDDP010N25AZT4H

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Número de parte	NDDP010N25AZT4H
LIXINC Part #	NDDP010N25AZT4H
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NDDP010N25AZT4H Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NDDP010N25AZT4H Especificaciones

Número de parte:	NDDP010N25AZT4H
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	250 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	10A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	420mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4.5V @ 1mA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	980 pF @ 20 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	1W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	DPAK/TP-FA
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63