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RM4N650IP

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Número de parte	RM4N650IP
LIXINC Part #	RM4N650IP
Fabricante	Rectron USA
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CHANNEL 650V 4A TO251
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	RM4N650IP Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 09 - Oct 13 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

RM4N650IP Especificaciones

Número de parte:	RM4N650IP
Marca:	Rectron USA
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rectron USA
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	4A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	1.2Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	3.5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	280 pF @ 50 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	46W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-251
paquete / caja:	TO-251-3 Stub Leads, IPak