NVMFS6H818NWFT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS6H818NWFT1G

NVMFS6H818NWFT1G

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Número de parte	NVMFS6H818NWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS6H818NWFT1G
Fabricante	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	NVMFS6H818NWFT1G Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 10 - Oct 14 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

NVMFS6H818NWFT1G Especificaciones

Número de parte:	NVMFS6H818NWFT1G
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	Automotive, AEC-Q101
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	80 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	20A (Ta), 123A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	3.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 190µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	46 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3100 pF @ 40 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	3.8W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
paquete / caja:	8-PowerTDFN, 5 Leads

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