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ATP602-TL-H

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Número de parte	ATP602-TL-H
LIXINC Part #	ATP602-TL-H
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 5A ATPAK
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	ATP602-TL-H Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Jul 03 - Jul 07 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

ATP602-TL-H Especificaciones

Número de parte:	ATP602-TL-H
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	-
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Obsolete
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	5A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	2.7Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	13.6 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	350 pF @ 30 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	70W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	ATPAK
paquete / caja:	ATPAK (2 leads+tab)

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