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Número de parte | IPD60R600E6 |
LIXINC Part # | IPD60R600E6 |
Fabricante | Rochester Electronics |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | IPD60R600E6 Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | |
Envío |
Número de parte: | IPD60R600E6 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Rochester Electronics |
serie: | CoolMOS™ |
paquete: | Bulk |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 600 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 7.3A (Tc) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 600mOhm @ 2.4A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 3.5V @ 200µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 20.5 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 440 pF @ 100 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 63W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | PG-TO252-3 |
paquete / caja: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
SI7326DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8 | 3151 Más sobre el pedido |
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NTTFS4C13NTWG | MOSFET N-CH 30V 7.2A 8WDFN | 1497720837 Más sobre el pedido |
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NTE2376 | MOSFET N-CHANNEL 200V 30A TO247 | 945 Más sobre el pedido |
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SPW35N60C3FKSA1 | MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3 | 927 Más sobre el pedido |
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IRLR014TRPBF | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | 1573 Más sobre el pedido |
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DMN60H080DS-7 | MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 | 343055 Más sobre el pedido |
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SIHP21N65EF-GE3 | MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB | 930 Más sobre el pedido |
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NTF6P02T3G | MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 | 850 Más sobre el pedido |
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IXTP02N50D | MOSFET N-CH 500V 200MA TO220AB | 5080 Más sobre el pedido |
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BSZ025N04LSATMA1 | MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON | 90284 Más sobre el pedido |
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BSC883N03LSG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 15899 Más sobre el pedido |
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PH3120L,115-NXP | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 907 Más sobre el pedido |
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PSMN012-80PS,127 | MOSFET N-CH 80V 74A TO220AB | 22151 Más sobre el pedido |
En stock | 15420 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.52000 | $0.52 |
2500 | $0.52000 | $1300 |
5000 | $0.49711 | $2485.55 |
12500 | $0.48075 | $6009.375 |
25000 | $0.46768 | $11692 |
62500 | $0.45459 | $28411.875 |
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