IXTY1R6N100D2 | Wickmann / Littelfuse IXTY1R6N100D2 | IXTY1R6N100D2 Inventory, Best Pricing

IXTY1R6N100D2

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Número de parte	IXTY1R6N100D2
LIXINC Part #	IXTY1R6N100D2
Fabricante	Wickmann / Littelfuse
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IXTY1R6N100D2 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 06 - Oct 10 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IXTY1R6N100D2 Especificaciones

Número de parte:	IXTY1R6N100D2
Marca:	Wickmann / Littelfuse
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Wickmann / Littelfuse
serie:	-
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	1000 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	1.6A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	-
rds en (máx.) @ id, vgs:	10Ohm @ 800mA, 0V
vgs(th) (máx) @ id:	-
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	27 nC @ 5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	645 pF @ 25 V
característica fet:	Depletion Mode
disipación de potencia (máx.):	100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-252, (D-Pak)
paquete / caja:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63