IPL60R285P7AUMA1 | IR (Infineon Technologies) IPL60R285P7AUMA1 | IPL60R285P7AUMA1 Inventory, Best Pricing

IPL60R285P7AUMA1

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Número de parte	IPL60R285P7AUMA1
LIXINC Part #	IPL60R285P7AUMA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 600V 13A 4VSON
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPL60R285P7AUMA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPL60R285P7AUMA1 Especificaciones

Número de parte:	IPL60R285P7AUMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™ P7
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	600 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	13A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	285mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 190µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	18 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	761 pF @ 400 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	59W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-VSON-4
paquete / caja:	4-PowerTSFN