3N163 DIE | Linear Integrated Systems, Inc. 3N163 DIE | 3N163 DIE Inventory, Best Pricing

3N163 DIE

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	3N163 DIE
LIXINC Part #	3N163 DIE
Fabricante	Linear Integrated Systems, Inc.
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	3N163 DIE Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

3N163 DIE Especificaciones

Número de parte:	3N163 DIE
Marca:	Linear Integrated Systems, Inc.
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Linear Integrated Systems, Inc.
serie:	-
paquete:	Tray
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	P-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	40 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	50mA
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	20V
rds en (máx.) @ id, vgs:	250Ohm @ 100µA, 20V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 10µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	-
vgs (máx.):	-6.5V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3.5 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	-
Temperatura de funcionamiento:	-
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	Die
paquete / caja:	Die