IRFH3707TRPBF | IR (Infineon Technologies) IRFH3707TRPBF | IRFH3707TRPBF Inventory, Best Pricing

IRFH3707TRPBF

Agrandar

Solo por referencia

Número de parte	IRFH3707TRPBF
LIXINC Part #	IRFH3707TRPBF
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IRFH3707TRPBF Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 08 - Oct 12 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IRFH3707TRPBF Especificaciones

Número de parte:	IRFH3707TRPBF
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	HEXFET®
paquete:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	30 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	12A (Ta), 29A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	4.5V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	12.4mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	2.35V @ 25µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	8.1 nC @ 4.5 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	755 pF @ 15 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	2.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:	8-PQFN (3x3)
paquete / caja:	8-PowerVDFN