Solo por referencia
Número de parte | TPH1110ENH,L1Q |
LIXINC Part # | TPH1110ENH,L1Q |
Fabricante | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Categoría | semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples |
Descripción | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP |
Ciclo vital | Activo |
RoHS | Sin información RoHS |
Modelos EDA/CAD | TPH1110ENH,L1Q Huella y símbolo de PCB |
Almacenes | Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong |
Entrega estimada | Jul 01 - Jul 05 2024(Elija envío acelerado) |
Garantía | Hasta 1 año [Garantía limitada]* |
Pago | ![]() |
Envío | ![]() |
Número de parte: | TPH1110ENH,L1Q |
Marca: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Ciclo vital: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoría: | semiconductor discreto |
Subcategoría: | transistores - fets, mosfets - simples |
Fabricante: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
serie: | U-MOSVIII-H |
paquete: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
estado de la pieza: | Active |
tipo de feto: | N-Channel |
tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss): | 200 V |
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c: | 7.2A (Ta) |
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado): | 10V |
rds en (máx.) @ id, vgs: | 114mOhm @ 3.6A, 10V |
vgs(th) (máx) @ id: | 4V @ 200µA |
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs: | 7 nC @ 10 V |
vgs (máx.): | ±20V |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds: | 600 pF @ 100 V |
característica fet: | - |
disipación de potencia (máx.): | 1.6W (Ta), 42W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
paquete de dispositivos del proveedor: | 8-SOP Advance (5x5) |
paquete / caja: | 8-PowerVDFN |
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En stock | 10852 - Más sobre el pedido |
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Límite de cotización | Sin límite |
Tiempo de espera | Para ser confirmado |
Mínimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.66128 | $0.66128 |
5000 | $0.66128 | $3306.4 |
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