TPH1110ENH,L1Q

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Número de parte TPH1110ENH,L1Q
LIXINC Part # TPH1110ENH,L1Q
Fabricante Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría semiconductor discretotransistores - fets, mosfets - simples
Descripción MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Ciclo vital Activo
RoHS Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD TPH1110ENH,L1Q Huella y símbolo de PCB
Almacenes Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada Jul 01 - Jul 05 2024(Elija envío acelerado)
Garantía Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Envío DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TPH1110ENH,L1Q Especificaciones

Número de parte:TPH1110ENH,L1Q
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vital:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoría:semiconductor discreto
Subcategoría:transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSVIII-H
paquete:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
estado de la pieza:Active
tipo de feto:N-Channel
tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):200 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:7.2A (Ta)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):10V
rds en (máx.) @ id, vgs:114mOhm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:4V @ 200µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:7 nC @ 10 V
vgs (máx.):±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:600 pF @ 100 V
característica fet:-
disipación de potencia (máx.):1.6W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
paquete de dispositivos del proveedor:8-SOP Advance (5x5)
paquete / caja:8-PowerVDFN

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