IPA105N15N3GXKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPA105N15N3GXKSA1 | IPA105N15N3GXKSA1 Inventory, Best Pricing

IPA105N15N3GXKSA1

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Número de parte	IPA105N15N3GXKSA1
LIXINC Part #	IPA105N15N3GXKSA1
Fabricante	IR (Infineon Technologies)
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	IPA105N15N3GXKSA1 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Oct 07 - Oct 11 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

IPA105N15N3GXKSA1 Especificaciones

Número de parte:	IPA105N15N3GXKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
paquete:	Tube
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	150 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	37A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	8V, 10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	10.5mOhm @ 37A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	4V @ 160µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	55 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	4300 pF @ 75 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	40.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	PG-TO220-FP
paquete / caja:	TO-220-3 Full Pack

IRLB4030PBF	MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB	7156 Más sobre el pedido
AOY66923	MOSFET N-CH 100V 16.5/58A TO251B	4074 Más sobre el pedido
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