FCH190N65F-F085 | Rochester Electronics FCH190N65F-F085 | FCH190N65F-F085 Inventory, Best Pricing

FCH190N65F-F085

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Número de parte	FCH190N65F-F085
LIXINC Part #	FCH190N65F-F085
Fabricante	Rochester Electronics
Categoría	semiconductor discreto › transistores - fets, mosfets - simples
Descripción	MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247-3
Ciclo vital	Activo
RoHS	Sin información RoHS
Modelos EDA/CAD	FCH190N65F-F085 Huella y símbolo de PCB
Almacenes	Estados Unidos, Europa, China, RAE de Hong Kong
Entrega estimada	Sep 22 - Sep 26 2024(Elija envío acelerado)
Garantía	Hasta 1 año [Garantía limitada]*
Pago
Envío

FCH190N65F-F085 Especificaciones

Número de parte:	FCH190N65F-F085
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vital:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoría:	semiconductor discreto
Subcategoría:	transistores - fets, mosfets - simples
Fabricante:	Rochester Electronics
serie:	Automotive, AEC-Q101, SuperFET® II
paquete:	Bulk
estado de la pieza:	Active
tipo de feto:	N-Channel
tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss):	650 V
corriente - drenaje continuo (id) @ 25°c:	20.6A (Tc)
tensión de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado):	10V
rds en (máx.) @ id, vgs:	190mOhm @ 27A, 10V
vgs(th) (máx) @ id:	5V @ 250µA
carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs:	82 nC @ 10 V
vgs (máx.):	±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) @ vds:	3.181 pF @ 25 V
característica fet:	-
disipación de potencia (máx.):	208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Through Hole
paquete de dispositivos del proveedor:	TO-247-3
paquete / caja:	TO-247-3